記者5月7日從湖南大學(xué)獲悉，劉淵教授團(tuán)隊(duì)使用范德華金屬集成法，成功展示了超短溝道垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其有效溝道長(zhǎng)度最短可小于1納米。這項(xiàng)“微觀世界”的創(chuàng)新，為“后摩爾時(shí)代”半導(dǎo)體器件性能提升增添了希望。日前，這一研究成果已發(fā)表在《自然·電子學(xué)》上。
從21世紀(jì)初開(kāi)始，商用計(jì)算機(jī)的主頻便停滯不前，相關(guān)“摩爾定律”已逼近極限——伴隨電子器件縮小，溝道長(zhǎng)度也縮短到十納米級(jí)別，短溝道效應(yīng)更加顯著。如何制造出更優(yōu)性能與更低功耗的電子器件，成為“后摩爾時(shí)代”全球半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)注的焦點(diǎn)之一。
記者從湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院了解到，垂直晶體管具有天然的短溝道特性，其研發(fā)有望作為一種全新的器件微縮方向。如能通過(guò)進(jìn)一步研究將真正的溝道物理長(zhǎng)度縮小至10納米甚至5納米以下，未來(lái)將可能不再依賴(lài)傳統(tǒng)的高精度光刻技術(shù)和刻蝕技術(shù)。
劉淵教授團(tuán)隊(duì)采用低能量的范德華電極集成方式，實(shí)現(xiàn)了以二硫化鉬作為半導(dǎo)體溝道的薄層甚至單原子層的短溝道垂直器件。他們將預(yù)制備的金屬電極物理層壓到二硫化鉬溝道的頂部，保留了二維半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)及其固有特性，形成理想的范德華金屬—半導(dǎo)體界面。通過(guò)對(duì)垂直器件進(jìn)行微縮，垂直晶體管的開(kāi)關(guān)比性能提升了兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
據(jù)了解，這種方法還可以運(yùn)用到其他層狀半導(dǎo)體作為溝道的器件上，均實(shí)現(xiàn)了小于3納米厚度的垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管，證明了范德華電極集成對(duì)于垂直器件微縮的普適性。這項(xiàng)研究有望為制造出擁有超高性能的亞3納米級(jí)別的晶體管，以及制備其他因工藝水平限制而出現(xiàn)不完美界面的范德華異質(zhì)結(jié)器件，為提升芯片性能提供了一種全新的低能耗解決方案。
該論文第一作者為湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院博士生劉麗婷，劉淵教授為通訊作者。(謝櫻蘇曉洲)
關(guān)鍵詞： 納米尺寸垂直晶體管 半導(dǎo)體器件
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