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美國DARPA啟動“低溫邏輯技術”項目 進一步擴展功率密度以提高計算性能

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日期:2021-04-13 15:46:11    來源:科技日報    

美國國防高級研究計劃局(DARPA)正在尋求高性能計算領域的創新。據HPCwire網站、DARPA官方網站等近日報道稱,DARPA啟動一項“低溫邏輯技術”計劃,其重點是進一步擴展功率密度以提高計算性能,從而解決到達摩爾定律擴展極限后所面臨的問題。

高性能計算是國防應用的關鍵推動力,無論是戰術邊緣的數據處理,還是天氣預報系統的動力支持都是如此。從發展歷史上看,高性能計算的進展一直受到新一代集成電路技術的推動,包括晶體管密度、性能和能效的不斷提高。

但是,由于一系列技術挑戰(例如工作電壓降低等)的存在,摩爾定律,這一傳統晶體管背后的重要指導原則正在“放緩”。工程師們想以節能的方式跟上更快、更密集的計算需求,但常規技術的局限性使一切異常困難。

DARPA微系統技術辦公室負責人表示:“現如今,我們正積極地達到摩爾定律的極限,并且面臨著無法進一步擴展功率密度以提高計算性能的困境。”他認為,可行的解決方案是冷計算——雖然微電子器件通常設計為在室溫下工作,但在更低的溫度下器件特性會顯著提升。極低溫器件(工作于零下196攝氏度或更低溫度的設備)有可能克服功率縮放的限制,但當人們將其應用于非常大規模的集成時就又遇到了挑戰。

鑒于此,為克服以上障礙,DARPA著意開發“低溫邏輯技術”項目。這一技術試圖在接近液氮溫度(約零下196攝氏度)下運行電子設備時,還能實現功率性能的顯著提升。

該計劃目標是通過對先進的超大規模集成工藝進行修改,來開發高性能、低溫的互補金屬氧化物半導體鰭式場效應晶體管。與在室溫下運行的最新中央處理器相比,最終的技術應能夠將性能/功耗提高25倍。

在實現目標的過程中,項目還將分為兩個研究重點,簡單說,第一個重點將是研究、開發和提供一種制造技術,以能夠集成低溫晶體管和在零下196攝氏度溫度下的配套電路等;第二個重點將探討相關兼容解決方案,從而應對零下196攝氏度溫度下的各個技術挑戰。(記者張夢然)

關鍵詞: 美國DARPA 低溫邏輯技術

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