在最新財報中，美光科技(Micron Technologies)宣布旗下第二代高帶寬存儲器(HBM2)即將開始出貨。HBM2主要用于高性能顯卡、服務(wù)器處理器以及各種高端處理器中，是相對昂貴但市場緊需的解決方案。
第二代高帶寬存儲器(HBM2)指定了每堆8個裸晶及每針傳輸速度上至2 GT/s的標準。為保持1024比特寬的訪問，第二代高帶寬存儲器得以在每個封裝中達到256GB/s的內(nèi)存帶寬及上至8GB的內(nèi)存。業(yè)界預測第二代高帶寬存儲器對極其需要性能的應(yīng)用程序，如虛擬現(xiàn)實，至關(guān)重要。
2016年1月19日，三星集團宣布進入大量生產(chǎn)第二代高帶寬存儲器的早期階段，每堆擁有高達8GB的內(nèi)存。SK海力士同時宣布于2016年8月發(fā)布4GB版本的內(nèi)存。而伴隨著美光的即將出貨，存儲器市場將會再次形成三雄割據(jù)的場面。
此前，美光的開發(fā)重心都放在專有的混合存儲多維數(shù)據(jù)集(HMC)DRAM類型上，不過這種類型的DRAM并沒有獲得太多客戶的吸引力，因此始終沒有太大的改變。僅使用了少數(shù)稀有產(chǎn)品，如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超級計算機中使用的富士通SPARC64 XIfx CPU。
美光宣布將在2018年暫停HMC的工作，并決定致力于GDDR6和HBM的開發(fā)。因此他們將會在今年的某個時候發(fā)布搭載HBM2 DRAM的產(chǎn)品。
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